NUS5530MNR2G
|
Версия для печати
| Корпус | 8-DFN |
| Корпус (размер) | 8-TFDFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Current Rating | 2A PNP, 3.9A P-Channel |
| Номинальное напряжение | 35V PNP, 20V P-Channel |
| Сфера применения | General Purpose |
| Transistor Type | NPN, P-Channel |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
