Si1553DL-T1-GE3


Купить Si1553DL-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
Si1553DL-T1-GE3
Версия для печати

Технические характеристики Si1553DL-T1-GE3

Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C660mA, 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs385 mOhm @ 660ma, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeN and P-Channel
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Power - Max270mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-70-6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход