Версия для печати
Технические характеристики Si1926DL-T1-E3
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 370mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 340mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 18.5pF @ 30V |
| Power - Max | 510mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
