Si4501ADY-T1-GE3


Купить Si4501ADY-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
Si4501ADY-T1-GE3
Версия для печати

Технические характеристики Si4501ADY-T1-GE3

Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6.3A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 8.8A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeN and P-Channel
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 5V
Power - Max1.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход