Si4618DY-T1-E3


Купить Si4618DY-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
Si4618DY-T1-E3
Версия для печати

Технические характеристики Si4618DY-T1-E3

Gate Charge (Qg) @ Vgs44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6.7A, 11.4A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs17 mOhm @ 8A, 10V
FET FeatureStandard
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1535pF @ 15V
Power - Max1.38W, 2.35W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход