Версия для печати
Технические характеристики SI6544BDQ-T1-E3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.7A, 3.8A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 3.8A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | N and P-Channel |
Серия | TrenchFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Power - Max | 830mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Корпус | 8-TSSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.