Версия для печати
Технические характеристики Si7998DP-T1-GE3
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 25A, 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 15A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Power - Max | 22W, 40W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
