Версия для печати
Технические характеристики SiB912DK-T1-GE3
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 95pF @ 10V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Корпус | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
