Версия для печати
Технические характеристики HIP2100EIB
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Тип входа | PWM |
| Время задержки | 20ns |
| Ток пиковое значение | 2A |
| Число конфигураций | 1 |
| Число выходов | 2 |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 114V |
| Напряжение питания | 9 V ~ 14 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Корпус | 8-SOIC-EP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
