![]() |
Производитель | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. |
Количество в упаковке | 8 шт. |
Вес | 164.000 г |
Технология | SPT |
Напряжение коллектор-эмитер | 1200 В |
Ток коллектора | 190А @ 25°C А |
Номинальный ток коллектора | 100 А |
Vкэ откр. | 1.90В @ 25°C В |
22.00мДж @ 125°C mJ | |
Rth(j-c) (per IGBT) | 0.165 K/W |
Цепь | GB |
Семейство | SEMiTRANS |
Корпус (размер) | SEMITRANS2N |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LM311 |
![]() |
![]() |
||||||
SKKD260/08 | SMK |
![]() |
![]() |
|||||
SKKD260/08 |
![]() |
45 815.00 | ||||||
VS-HFA30PB120-N3 | VISHAY | 1 520 | 322.45 | |||||
VS-HFA30PB120-N3 |
![]() |
![]() |
||||||
К 142 ЕН8В | RUS |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
КТ3117А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | 1 | 27.20 | ||
![]() |
![]() |
КТ3117А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | МИНСК |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ3117А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | ДАЛЕКС |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ3117А |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | RUS |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|