Версия для печати
Технические характеристики ADR363BUJZ-R2
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Reference Type | Series, Precision |
Напряжение выходное | 3V |
Допустимые отклонения емкости | ±0.1% |
Температурный коэфициент | 9ppm/°C |
Напряжение входное | 3.3 V ~ 15 V |
Количество каналов | 1 |
Ток в рабочей точке(ВАХ) | 190µA |
Ток выходной | 5mA |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Корпус | TSOT-23-5 |
Tolerance | ±0.1% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
7805ABD2T (L7805ABD2T) D2-PAK |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IT-1188E (6X3X3.5) |
|
|
|
|
|
|
|
|
IT-1188E (6X3X3.5) |
|
|
|
|
|
|
|
|
IT-1188E (6X3X3.5) |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IT-1188E (6X3X3.5) |
|
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
MC7818CD2T |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC7818CD2T |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MC7818CD2T |
|
|
|
|
57.56
|
|
|
|
MC7818CD2T |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC7818CD2T |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC7818CD2T |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PAL007A |
|
УНЧ-DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x80W, Gv=26dB, Mute/Standby
|
PIONEER
|
|
|
|
|
|
PAL007A |
|
УНЧ-DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x80W, Gv=26dB, Mute/Standby
|
|
|
1 325.60
|
|
|
|
PAL007A |
|
УНЧ-DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x80W, Gv=26dB, Mute/Standby
|
КИТАЙ
|
|
|
|