FDC2512
150v n-channel powertrench mosfet
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 425 mOhm @ 1.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 344pF @ 75V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
| Корпус | 6-SSOT |
| Product Change Notification | Cu Wire Change 30/July/2007 Cu Wire Change 27/Sept/2007 Mold Compoun |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDC2512 (MOSFET) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BC847C SOT23 |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | PHILIPS |
|
|
|
|
|
BCV62B | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BCV62B |
|
19.20 | |||||
|
|
BCV62B | INFINEON |
|
|
||||
|
|
BCV62B | NXP |
|
|
||||
|
|
BCV62B | PHILIPS |
|
|
||||
| BZX384-C9V1 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZX384-C9V1 |
|
2.60 | ||||||
| BZX384-C9V1 | NXP |
|
|
|||||
| BZX384-C9V1 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZX384-C9V1 | NXP | 1 101 |
|
|||||
| FMMT558TA | ZETEX |
|
|
|||||
| FMMT558TA |
|
149.20 | ||||||
| FMMT558TA | ZETEX |
|
|
|||||
| FMMT558TA | Diodes/Zetex |
|
|
|||||
| FMMT558TA | DIODES | 40 | 69.30 | |||||
| SN74AHCT1G32DBVR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| SN74AHCT1G32DBVR |
|
125.20 | ||||||
| SN74AHCT1G32DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 791 |
|
|||||
| SN74AHCT1G32DBVR | TEXAS |
|
|
