IRFU3710Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFU3710Z		168.00

Версия для печати

Технические характеристики IRFU3710Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 33A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	42A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2930pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	I-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFU3710Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFU3710Z datasheet
278.5 Кб