| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 310mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N5406 (3A 600V) |
|
Диод 600V, 3A
|
|
|
|
|
|
|
|
564ПР1 |
|
|
|
|
568.00
|
|
|
|
|
564ПР1 |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
4
|
300.00
|
|
|
|
|
564ПР1 |
|
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
|
141 493
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
GS
|
|
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
HOTTECH
|
74 532
|
1.10
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
SUNTAN
|
16
|
1.25
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
SEMTECH
|
10
|
1.88
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
KLS
|
12 716
|
1.81
|
|
|
|
|
BC848C |
|
Транзистор NPN 30V 0,1A 0,25W B:420-800
|
YJ
|
130 231
|
1.23
|
|
|
|
|
BCV46E6327HTSA1 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 916
|
31.68
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
30.60
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 916
|
32.00
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
