Версия для печати
Технические характеристики RC0805JR-0775K

Сопротивление (Ом)	75K
Серия	RC0805
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Мощность (Ватт)	0.125W, 1/8W
Composition	Thick Film
Температурный коэфициент	±100ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Size / Dimension	0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Высота	0.024" (0.60mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	0805 (2012 Metric)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для поверхностного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт		23 111	1.25
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	FAIR
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	PHILIPS
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	VISHAY
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	CHINA
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	FAIRCHILD
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	GALAXY
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	FAIRCHILD
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	PHILIPS	368
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	Fairchild Semiconductor
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	КИТАЙ	800	6.63
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	EXTRA
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	DC COMPONENTS
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	MCC
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	KINGTRONICS
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	GALAXY ME
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	PANJIT	109	1.83
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	HOTTECH	184	1.43
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	KLS	24 000	1.30
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	LGE
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	БРЕСТ
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	1
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	SEMTECH
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	SUNTAN	450	1.66
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAXIM
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С		10 330	108.62
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAX
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	Maxim Integrated Products
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAX/DALL
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAXIM INTEGR
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	YOUTAI	40 531	53.41
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	UMW	8 800	90.53
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	UMW-YOUTAI
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MSKSEMI	19 035	47.98
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	YAGEO
		RC0805JR-07390R		Резистор SMD, 0805, 390 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07390R		Резистор SMD, 0805, 390 Ом, 0.125Вт, 5%	YAGEO
		RC0805JR-07390R		Резистор SMD, 0805, 390 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07390R		Резистор SMD, 0805, 390 Ом, 0.125Вт, 5%	YAGEO
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		1 308	11.38
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	1 971	13.00
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ	22	24.78
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК	600	8.00
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	13.77
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 320	46.25

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"