|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
DC COMPONENTS
|
10 044
|
15.77
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
|
23
|
46.80
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
OTHER
|
3
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
MIC
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
SUNTAN
|
4 545
|
8.32
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
LGE
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
|
|
1 329.60
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
|
680
|
167.24
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
MICRO CHIP
|
27
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-0715R |
|
Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 15
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-0715R |
|
Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 15
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SK025M0330B3F-0815 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SK025M0330B3F-0815 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SK025M0330B3F-0815 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|