|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DC COMPONENTS
|
439 585
|
1.81
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIOTEC
|
11 260
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
|
72 125
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TSC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YJ
|
1 190
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
HOTTECH
|
154 572
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KLS
|
21 600
|
4.92
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSCJ
|
42 394
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JINGDAO
|
1 264
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MDD
|
23 946
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NEX
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NEXPERIA
|
24 000
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
15
|
8.83
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NEX-NXP
|
222
|
1.97
|
|
|
|
LM217LD13TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
7 757
|
21.21
|
|
|
|
LM217LD13TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM217LD13TR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM217LD13TR |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM217LD13TR |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
MURATA
|
3 400
|
9.89
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
MUR
|
190 088
|
3.22
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
|
|
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
MMBFJ309LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBFJ309LT1G |
|
|
ONS
|
94
|
16.97
|
|
|
|
MMBFJ309LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 372
|
|
|
|
|
MMBFJ309LT1G |
|
|
|
|
|
|