Версия для печати
Технические характеристики NCP1055P100G

Корпус	8-PDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Мощность (Ватт)	40W
Напряжение выходное	700V
Напряжение входное	7.5 V ~ 10 V
Частотный диапозон	84 ~ 107kHz
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1266		PNP 50V, 0.15A, 0.4W, 130MHz	KEC
		2SA1266		PNP 50V, 0.15A, 0.4W, 130MHz			7.20
		2SA1266		PNP 50V, 0.15A, 0.4W, 130MHz	МАЛАЙЗИЯ
		2SA1266		PNP 50V, 0.15A, 0.4W, 130MHz	SAMSUNG
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HITACHI
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный			40.00
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UTC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HIT
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UNISONIC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	КИТАЙ
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	DE
		2SC3198 (KTC) FORMED			KEC
		2SC3198 (KTC) FORMED			СИНГАПУР
		IRFB59N10D		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB59N10D		Транзистор полевой			151.92
		IRFB59N10D		Транзистор полевой	INFINEON
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ONS	8	24.64
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223		1	187.20
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"