Версия для печати
Технические характеристики P6SMBJ6.5CA

Reverse Recovery Time (trr)	Рабочее напряжение:
Lumens/Watt @ Current - Test	Ток потребления при рабочем напряжении:
Divider	Минимальное напряжение ограничения:
Line Regulation	Максимальное напряжение ограничения:
Magnification Range	Максимальное импульсное напряжение:
Main Purpose	Максимальный импульсный ток:
Supply Current	Симметрия ВАХ:
Constant Current Load - Max	Тип корпуса:

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	VISHAY
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	FAIR
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	ISOCOM
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	Q TECH
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	QT OPTOELECTRONICS
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	FAIRCHILD	3	40.00
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	FAIRCHILD
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	ISOCOM
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	Q TECH INC.
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	QT OPTOELECTRONICS	20
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	Lite-On Inc
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	Vishay/Semiconductors
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	Avago Technologies US Inc
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	ISOCOM COMPONENTS
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	MOTOROLA
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	MOT
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%		2	25.20
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	QTC	10	40.00
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	VISHAY
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	ONS	11 200	15.74
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)		80	35.20
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	2 835
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	ONSEMI
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	TOKMAS	16 088	8.13
		MURS160			VISHAY
		MURS160				20 000	2.86
		MURS160			EIC
		MURS160			GALAXY	13 238	8.56
		MURS160			КИТАЙ
		MURS160			LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	9 000
		MURS160			GALAXY ME
		MURS160			HOTTECH	47 119	6.53
		MURS160			KLS
		MURS160			LGE
		MURS160			JANGJIE
		MURS160			YJ	55 520	4.63
		MURS160			SUNTAN	3 492	5.30
		SM6T200A			ST MICROELECTRONICS	2 480	12.79
		SM6T200A					26.16
		SM6T200A			ST MICROELECTRONICS SEMI
		SM6T200A			STMicroelectronics
		SM6T200A			STMICROELECTR
		SMDB3			STMicroelectronics
		SMDB3			ST MICROELECTRONICS
		SMDB3					126.00
		SMDB3			ST MICROELECTRONICS SEMI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"