R7S01216XX
|
Версия для печати
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 1600A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50mA @ 1200V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1500A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 7µs |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | Single |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | DO-200AA, A-PUK |
| Корпус | DO-200AA, R62 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | IRF7425 Транзистор полевой SMD P-MOSFET 20В 14A RDS=0,008 Купить |
 | AT91SAM7X256-AU 16/32- Р±РёС‚ ARM7TDMI-Р Сикроконтроллер (32-bit RISC arch., 16-bit instr. set, 256K Flash, 64K SRAM, 32 I/O, JTAG-ICE I/F, USB 2.0 Full Speed, Ethernet MA... Купить |
 | YSR9-11-B/N ON-OFF 16/20A Купить |
