NSS40300DDR2G
|
Версия для печати
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 170mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 653mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
