PUMD30


Купить PUMD30 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PUMD30
Версия для печати

Технические характеристики PUMD30

Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA
Power - Max300mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-88
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
2SB649AC
Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 20 WПредельное постоянное ...
Купить
MA40S4S

298.75 руб Купить
AT28C64B-35PI

Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход