IRF7205PBF
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-NP0-12PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 12пФ, 50 В | MURATA |
|
|
|||
| 0805-NP0-12PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 12пФ, 50 В | 1 384 | 1.40 | ||||
| 0805-NP0-18PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 18пФ, 50 В,5% | MURATA |
|
|
|||
| 0805-NP0-18PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 18пФ, 50 В,5% | 142 | 1.20 | ||||
 |
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | NXP |
|
|
||
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | PHILIPS |
|
|
||
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz |
|
|
|||
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | NXP | 7 915 |
|
||
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | PHILIPS | 31 262 |
|
||
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | MULTICOMP | 649 | 7.59 | ||
|
|
BC807 |
|
Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | JSCJ | 412 241 | 1.39 | ||
 |
|
BFG540/X,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BFG540/X,215 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BFG540/X,215 |
|
|
|
|||
| PIC16F883-I/SO |
|
ИМС МК SO28 | MICRO CHIP |
|
|
|||
| PIC16F883-I/SO |
|
ИМС МК SO28 | 808 | 202.67 | ||||
| PIC16F883-I/SO |
|
ИМС МК SO28 | Microchip Technology |
|
|
|||
| PIC16F883-I/SO |
|
ИМС МК SO28 | MICRO CHIP | 3 |
|
