Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.3A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 5.6A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1510pF @ 25V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR11672AS | INTERNATIONAL RECTIFIER | |||||||
IR11672AS | 169.60 | |||||||
IR11672AS | INFINEON | |||||||
IRF7494PBF | N-канальный Полевой транзистор 150V 5,2A 3,0W 0,044R | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF7494PBF | N-канальный Полевой транзистор 150V 5,2A 3,0W 0,044R | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF7494PBF | N-канальный Полевой транзистор 150V 5,2A 3,0W 0,044R | INFINEON | ||||||
IRF7853PBF | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 8.3A 2.5W, 0.018R) | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF7853PBF | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 8.3A 2.5W, 0.018R) | INFINEON | ||||||
IRF7853PBF | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 8.3A 2.5W, 0.018R) |
|