Power - Max | 2.5W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1110pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.2A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.4 mOhm @ 9.2A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZT52-C4V7T/R | Диод Зенера 4.7В, 6.38%, 250мВт, 80Ом, 3мкА | PANJIT | 51 200 | |||||
HSMS-2852-TR1 | AGILENT TECHNOLOGIES | |||||||
HSMS-2852-TR1 | AGILENT TECHNOLOGIES | |||||||
HSMS-2852-TR1 | Avago Technologies US Inc | |||||||
IR2131S | Драйверы верхнего x3 и нижнего x3 ключей. Тс =700мс, Uсм=600В, Uвых=10/20В | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IR2131S | Драйверы верхнего x3 и нижнего x3 ключей. Тс =700мс, Uсм=600В, Uвых=10/20В | 920.00 | ||||||
IR2131S | Драйверы верхнего x3 и нижнего x3 ключей. Тс =700мс, Uсм=600В, Uвых=10/20В | INFINEON | ||||||
MX3SWT-A1-0000-000AE5 | Cree Inc | |||||||
MX3SWT-A1-0000-000AE5 | CREE | |||||||
MX3SWT-A1-0000-000AE5 | ||||||||
VS-30BQ040TR | VISHAY |
|