![]() |
|
Power - Max | 38W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 6.6A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
![]() | ВК-43-21-22110 2З+2Р КРАСН. Применяются в пультах управления, электрошкафах подвижных и стационарных электроустановок в промышленном оборудовании и на объектах электроэнергетики.... 500.00 руб Купить |
![]() | AM15E-1224SZ DC/DC преобразователь мощностью 15Вт, вход 9-18В, выход 24В 625мА. Rизол. 1.5кВ Купить |
![]() | FCPF22N60NT N-канальный mosfet, 600 в, 22 а, 0.165 вт Купить |
|
Корзина
|