Версия для печати
Технические характеристики IRFZ44ZPBF

Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	51A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.9 mOhm @ 31A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1420pF @ 25V
Power - Max	80W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BT139-600		Тиристор 16A 600В Igt=35мА	NXP
		BT139-600		Тиристор 16A 600В Igt=35мА			114.84
		BT139-600		Тиристор 16A 600В Igt=35мА	КИТАЙ
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRONICS
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ			20.00
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS INSTRUMENTS	160	58.06
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	FAIRCHILD
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	FAIRCHILD
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	Fairchild Semiconductor
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	STMicroelectronics
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	PHILIPS
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ON SEMICONDUCTOR
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS INSTRUMENTS	1 738
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	FAIR
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	FSC
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	FAI/QTC
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	США
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	FAIRCHILD	13
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	FAIRCHILD
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль		1	139.20
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	ONS	184	81.67
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	ONS-FAIR
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	ONSEMICONDUCTOR
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	YOUTAI	23 568	18.80
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	UMW-YOUTAI
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	UMW
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	43.35
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI
		TEN 25-2412		DC/DC, 25Вт, вход 18:36В, выход 12В/2.5А, изоляция 1500В DC, корпус 50.8х40.6х9.3мм, ...	TRACO	10	9 038.33
		TEN 25-2412		DC/DC, 25Вт, вход 18:36В, выход 12В/2.5А, изоляция 1500В DC, корпус 50.8х40.6х9.3мм, ...

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"