Power - Max | 130W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2880pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 52A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BFG135 | СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт | NXP | ||||||
BFG135 | СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт | PHILIPS | ||||||
BFG135 | СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт | 37.48 | ||||||
BFG135 | СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт | PHILIPS | 4 | |||||
BFG135 | СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт | ГЕРМАНИЯ | ||||||
CC0603CRNPO9BN5R6 | Керамический конденсатор 5.6 пФ 50 В | YAGEO | 209 913 |
1.08 >500 шт. 0.36 |
||||
CC0603JRNPO9BN100 | Керамический ЧИП конденсатор 10 пф, NPO, 5%, 0603 | YAGEO | 1 010 105 |
0.75 >500 шт. 0.25 |
||||
CC0603JRNPO9BN100 | Керамический ЧИП конденсатор 10 пф, NPO, 5%, 0603 | PHYCOMP | ||||||
CC0603JRNPO9BN100 | Керамический ЧИП конденсатор 10 пф, NPO, 5%, 0603 | PHYCOMP | ||||||
CC0603JRNPO9BN100 | Керамический ЧИП конденсатор 10 пф, NPO, 5%, 0603 | YAGEO | ||||||
CC0603JRNPO9BN100 | Керамический ЧИП конденсатор 10 пф, NPO, 5%, 0603 | 7 | ||||||
DG350-3.5-02P-14-00A[H] | DEGSON ELECTRONICS | 2 | 10.08 | |||||
LM317 SOT-223 | UTC | |||||||
LM317 SOT-223 |
|