|
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92 mOhm @ 2.7A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 290pF @ 25V |
Power - Max | 1.25W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | Micro3™/SOT-23 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B43508A9687M000 | EPCOS Inc | |||||||
IT-1187U (4X4X1.5) | ||||||||
IT-1187U (4X4X1.5) | ||||||||
IT-1187U (4X4X1.5) | RUICHI | |||||||
STM32F103VCT6 | ST MICROELECTRONICS | 394 | 354.24 | |||||
STM32F103VCT6 | ST MICROELECTRONICS SEMI | 93 | ||||||
STM32F103VCT6 | STMicroelectronics | |||||||
STM32F103VCT6 | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК | |||||||
STM32F103VCT6 | ||||||||
STM32F103VCT6 | STMICROELECTR | |||||||
КТ3130А9 | Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | 640 | 19.25 | |||||
КТ3130А9 | Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | ДАЛЕКС | ||||||
КТ3130А9 | Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | RUS | ||||||
КТ3130А9 | Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ | ||||||
КТ3130А9 | Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | АЛЕКСАНДРОВ | ||||||
КТ3130А9 | Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | ИНТЕГРАЛ | 1 000 | 24.00 | ||||
ОНЦ-РГ-09-7/18-В12 |
|