IRFBA1405P
N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт
|
N канальный транзистор MOSFET |
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 101A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 174A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5480pF @ 25V |
| Power - Max | 330W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | Super-220™-3 (Straight Leads) |
| Корпус | SUPER-220™ (TO-273AA) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBA1405P (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC5200-O |
|
|
163.32 | |||
|
|
|
2SC5200-O |
|
Toshiba |
|
|
||
|
|
|
2SC5200-O |
|
TOS |
|
|
||
| 7805C | КРЕМНИЙ |
|
|
|||||
| 7805C | 71 | 39.60 | ||||||
| 7805C | БРЯНСК |
|
|
|||||
| 7805C | D-PAK |
|
|
|||||
| 7805C | МИНСК |
|
|
|||||
| 7805C | 1 |
|
|
|||||
| AAA 1000MAH 1.2V NI-MH |
|
|
||||||
| AAA 1000MAH 1.2V NI-MH |
|
|
||||||
|
|
ICE3B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.5A, Pout=W | INFINEON |
|
|
||
|
|
ICE3B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.5A, Pout=W |
|
237.60 | |||
|
|
ICE3B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.5A, Pout=W | Infineon Technologies |
|
|
||
 |
|
IRFBA1405PPBF |
|
N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFBA1405PPBF |
|
N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFBA1405PPBF |
|
N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт |
|
|
