IRFBC40SPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFBC40SPBF

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.