![]() |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4490pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 28A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 50A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Power - Max | 3.6W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-VQFN |
Корпус | PQFN (5x6) Single Die |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CA025M0100REH-0607 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 25 В | YAGEO |
![]() |
![]() |
||
![]() |
CA025M0100REH-0607 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 25 В | 32 | 20.44 | |||
![]() |
CA025M0100REH-0607 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 25 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
![]() |
![]() |
||
SI9801DY | SILICONIX |
![]() |
![]() |
|||||
SI9801DY | SILICONIX |
![]() |
![]() |
|||||
STPS8L30B-TR | ST MICROELECTRONICS | 576 | 48.59 | |||||
STPS8L30B-TR | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|||||
STPS8L30B-TR | ST MICROELECTRONICS SEMI | 36 |
![]() |
|||||
STPS8L30B-TR |
![]() |
![]() |
||||||
TPSE476M025R0080 |
![]() |
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 25 В | AVX |
![]() |
![]() |
|||
UCC39002D | UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS |
![]() |
![]() |
|||||
UCC39002D |
![]() |
480.00 | ||||||
UCC39002D | UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C | 778 |
![]() |
|||||
UCC39002D | Texas Instruments |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|