Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4490pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 28A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 50A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Power - Max | 3.6W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-VQFN |
Корпус | PQFN (5x6) Single Die |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CA025M0100REH-0607 | Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 25 В | YAGEO | ||||||
CA025M0100REH-0607 | Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 25 В | 32 | 20.44 | |||||
CA025M0100REH-0607 | Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 25 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | ||||||
SI9801DY | SILICONIX | |||||||
SI9801DY | SILICONIX | |||||||
STPS8L30B-TR | ST MICROELECTRONICS | 693 | 55.65 | |||||
STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | |||||||
STPS8L30B-TR | ST MICROELECTRONICS SEMI | 36 | ||||||
STPS8L30B-TR | ||||||||
TPSE476M025R0080 | Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 25 В | AVX | ||||||
UCC39002D | UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS | |||||||
UCC39002D | 480.00 | |||||||
UCC39002D | UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C | 778 | ||||||
UCC39002D | Texas Instruments |
|