NTR4003NT1G

Версия для печати

Технические характеристики NTR4003NT1G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	500mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	1.15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	21pF @ 5V
Power - Max	690mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BLM18PG221SN1D				6.00
BLM18PG221SN1D		MURATA
BLM18PG221SN1D		MUR	123 800	1.24 >100 шт. 0.62
BLM18PG221SN1D		Murata Electronics North America
BLM18PG221SN1D		MURATA	11 428
BLM18PG221SN1D		MURATA*
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	MURATA
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206			16.84
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	Murata Electronics North America
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	MUR	13 188	5.09
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	MURATA
SN74LVC1G08DCKR				18.60
SN74LVC1G08DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	2 400	11.81
SN74LVC1G08DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	12 148
SN74LVC1G08DCKR		TEXAS
SN74LVC1G08DCKR		YOUTAI	25 332	3.30
SN74LVC1G08DCKR		UMW	256	5.90
SN74LVC1G08DCKR		UMW-YOUTAI
SN74LVC1G97DCKR		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC1G97DCKR				39.20
SN74LVC1G97DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	887
SN74LVC1G97DCKR		TEXAS