|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 350mA |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
FET Feature | Depletion Mode |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | SIPMOS® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 108µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.7nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 108pF @ 25V |
Power - Max | 1.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | PG-SOT223-4 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP149L6327 | N канальный транзистор 200В, 140мА, 1.8Вт | INFINEON | ||||||
BSP149L6327 | N канальный транзистор 200В, 140мА, 1.8Вт | 140.00 | ||||||
BSP149L6327 | N канальный транзистор 200В, 140мА, 1.8Вт | INFINEON | 52 | |||||
BSP92PH6327XTSA1 | INFINEON | |||||||
BSP92PH6327XTSA1 | ||||||||
PY04-4Z | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | |||||||
PY04-4Z | POLSUN | |||||||
PY04-4Z | ||||||||
PY04-4Z | POL-SUN | 320 | 216.56 | |||||
PY04-4Z | ACIT/POLSUN | 5 680 | 226.32 | |||||
К71-7-1000ПФ 250 (1%) | ||||||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | 32.00 | ||||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | МИНСК | 2 201 | 32.00 | ||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | ИНТЕГРАЛ |
|