Версия для печати
Технические характеристики BSD235N
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 950mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.6µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.32nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 63pF @ 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | PG-SOT363-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
