Версия для печати
Технические характеристики FQS4900
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.3A, 300mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 300V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 650mA, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | QFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
