NDD02N60ZT4G

Версия для печати

Технические характеристики NDD02N60ZT4G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	274pF @ 25V
Power - Max	57W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.