Si7617DN

Версия для печати

Технические характеристики Si7617DN

Gate Charge (Qg) @ Vgs	59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1800pF @ 15V
Power - Max	52W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® 1212-8
Корпус	PowerPAK® 1212-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
A4989SLDTR-T		Allegro Microsystems Inc
A4989SLDTR-T		ALLEGRO
A4989SLDTR-T
BAT54HT1G		FAIR
BAT54HT1G		ON SEMICONDUCTOR	8	5.04
BAT54HT1G		FAIRCHILD
BAT54HT1G		FAIRCHILD
BAT54HT1G		ON SEMICONDUCTOR	3 238
BAT54HT1G		Fairchild Semiconductor
BAT54HT1G
BAT54HT1G		ONS
BAT54HT1G		ONS-FAIR
BAT54HT1G		FUXIN	22 276	1.08
BQ24617RGER		TEXAS INSTRUMENTS
BQ24617RGER		TEXAS INSTRUMENTS
BQ24617RGER
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	NXP
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	DC COMPONENTS	251 319	1.60
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	PHILIPS
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	NXP
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	PHILIPS	592
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%
BZV55-C3V9	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=3V9, Izt=5mA tol=5%	EIC