SPB04N60C3
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | CoolMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | PG-TO263-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRG4BC30U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
195.76 | ||
|
|
|
IRG4BC30U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
|
| JVR20N241K11PU5 | JOYIN |
|
|
