|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
6 913
|
6.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
13 553
|
4.34
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
1 032
|
4.92
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
10 400
|
1.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
66 624
|
2.11
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.33
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.47
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFI840G |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
147.90
|
|
|
|
IRFI840G |
|
Транзистор полевой
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFI840G |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFI840G |
|
Транзистор полевой
|
|
3
|
226.80
|
|
|
|
IRFI840G |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFI840G |
|
Транзистор полевой
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SF28 T/B |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SF28 T/B |
|
|
MIC
|
7 159
|
2.62
|
|
|
|
SF28 T/B |
|
|
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
GENERAL INSTRUMENT
|
3 380
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
2 800
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
DIOTEC
|
2 174
|
3.88
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
|
48 508
|
2.00
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
GI
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
|
85
|
66.50
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
СЗТП
|
12
|
438.60
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|