IRFH5025TR2
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2150pF @ 50V |
| Power - Max | 3.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-VQFN |
| Корпус | 8-QFN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZX55-C15 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 | DC COMPONENTS | 10 472 | 1.82 | ||||
|
|
BZX55-C15 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 | YJ |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 |
|
|
|||||
|
|
BZX55-C15 | YANGJIE |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 | YANGJIE (YJ) |
|
|
||||
| BZX55C24V0 | 608 |
1.76 >100 шт. 0.88 |
||||||
| BZX55C24V0 | БРЕСТ |
|
|
|||||
| GRM155R71H104KE14D | MUR | 9 756 097 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| GRM155R71H104KE14D | MURATA | 154 |
1.14 >500 шт. 0.38 |
|||||
| GRM155R71H104KE14D |
|
|
||||||
| GRM155R71H104KE14D | MURATA | 15 483 |
|
|||||
| GRM155R71H104KE14D | MURA |
|
|
|||||
| IRF5803TRPBF |
|
P-канальный -40В -3.4А Micro6 |
|
|
||||
| IRF5803TRPBF |
|
P-канальный -40В -3.4А Micro6 | International Rectifier |
|
|
|||
| IRF5803TRPBF |
|
P-канальный -40В -3.4А Micro6 | INFINEON | 470 | 26.47 | |||
| IRF5803TRPBF |
|
P-канальный -40В -3.4А Micro6 | INFINEON |
|
|
|||
| IRF5803TRPBF |
|
P-канальный -40В -3.4А Micro6 | VISHAY |
|
|
