|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX84-C4V7.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 4,7V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C4V7.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 4,7V
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C4V7.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 4,7V
|
NEX-NXP
|
63 924
|
2.07
|
|
|
|
BZX84-C4V7.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 4,7V
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
VISHAY
|
232
|
73.57
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
|
19
|
93.60
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
5
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
SILICONIX
|
20
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
29
|
22.04
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
|
|
48.00
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
197
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
607
|
28.00
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
540
|
35.70
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
1 022
|
32.00
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
20
|
36.40
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
П609А |
|
|
|
7 245
|
10.56
|
|
|
|
П609А |
|
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
П609А |
|
|
|
7 245
|
10.56
|
|
|
|
П609А |
|
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|