Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Power - Max | 200mW |
Frequency - Transition | 140MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | 3-SMT |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1037AKT146Q |
|
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
2SA1037AKT146Q |
|
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
2SA1037AKT146Q |
|
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2SA1037AKT146Q |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
276 224
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
138 380
|
2.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 874
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
525 679
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
378 635
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 257
|
1.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
583 440
|
1.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
405 037
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
1 040 257
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
31 744
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 870
|
1.60
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
DC COMPONENTS
|
122 792
|
2.09
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
830
|
10.00
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
33.15
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
|
226
|
21.12
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ПЛАНЕТА
|
26
|
33.15
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
MOTOROLA
|
35
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
PHILIPS
|
32
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
SGS THOMSON
|
12
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
IDCHIP
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
|
2
|
300.00
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
84
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
1
|
|
|
|