FDG6332C
|
|
Версия для печати
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 700mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 700mA, 600mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 113pF @ 10V |
| Power - Max | 300mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3И306Ж | 1 632 | 43.35 | ||||||
| 3И306Ж | СТАРТ | 1 903 | 16.00 | |||||
| 3И306К | 901 | 56.10 | ||||||
| 3И306К | СТАРТ |
|
|
|||||
| NCP303LSN09T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP303LSN09T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP303LSN09T1G | ONS |
|
|
|||||
| NCP303LSN09T1G |
|
|
||||||
 |
 |
TPS51125RGER |
|
Микросхема управления питанием | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
TPS51125RGER |
|
Микросхема управления питанием | 2 |
|
||
|
|
|
TPS51125RGER |
|
Микросхема управления питанием | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
TPS51125RGER |
|
Микросхема управления питанием | TEXAS |
|
|
|
| TPS61045DRBR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS61045DRBR | TEXAS INSTRUMENTS | 106 |
|
