Версия для печати
Технические характеристики SI2301BDS-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	375pF @ 6V
Power - Max	700mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAI/QTC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FSC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт		24	20.80
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD	5
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	OTHER	266
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	Fairchild Semiconductor
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ФИЛИППИНЫ
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMIC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS-FAIR
		NE556N			NEC
		NE556N			ST MICROELECTRONICS	266	48.45
		NE556N					33.68
		NE556N			ST MICROELECTRONICS SEMI
		NE556N			STMicroelectronics
		NE556N			Texas Instruments
		NE556N			TEXAS INSTRUMENTS	16
		NE556N			КИТАЙ
		NE556N			ST MICROELECTR
		NE556N			TEXAS
		NE556N			ST1
		NE556N			ST MICROELECTRO
		NE556N			TEXAS INSTRUMEN
		RLB0914-181KL		Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm	BOURNS	11	73.94
		RLB0914-181KL		Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm			33.60
		RLB0914-181KL		Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm	Bourns Inc
		RLB0914-181KL		Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm	BOURNS ELECTRON
		RLB0914-181KL		Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm	ВОURNS
		SI2302ADS-T1-E3		N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R	VISHAY
		SI2302ADS-T1-E3		N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R	SILICONIX
		SI2302ADS-T1-E3		N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R			40.40
		SI2302ADS-T1-E3		N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R	SILICONIX
		SI2302ADS-T1-E3		N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R	VISHAY
		SI2302ADS-T1-E3		N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R	Vishay/Siliconix
		SN65HVD12D			TEXAS INSTRUMENTS
		SN65HVD12D					718.96
		SN65HVD12D			TEXAS INSTRUMENTS
		SN65HVD12D			TEXAS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"