![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 1V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 1W |
Impedance (Max) (Zzt) | 8 Ohm |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | DO-204AL, DO-41, Axial |
Корпус | DO-41 |
Рабочая температура | -65°C ~ 200°C |
Tolerance | ±5% |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYV26C-TAP |
![]() |
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | NXP |
![]() |
![]() |
||
![]() |
BYV26C-TAP |
![]() |
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | VISHAY |
![]() |
![]() |
||
![]() |
BYV26C-TAP |
![]() |
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | 1 280 | 31.45 | |||
![]() |
![]() |
IRG4PC50W |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50W |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz) |
![]() |
380.84 | ||
![]() |
![]() |
IRG4PC50W |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz) | МЕКСИКА |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50W |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz) | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
MCP601-I/P |
![]() |
Операционный усилитель микромощный 2.8МГц, 2.3В/мкс | MICRO CHIP | 337 | 101.93 | |
![]() |
![]() |
MCP601-I/P |
![]() |
Операционный усилитель микромощный 2.8МГц, 2.3В/мкс |
![]() |
94.96 | ||
![]() |
![]() |
MCP601-I/P |
![]() |
Операционный усилитель микромощный 2.8МГц, 2.3В/мкс | Microchip Technology |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
MCP601-I/P |
![]() |
Операционный усилитель микромощный 2.8МГц, 2.3В/мкс | ТАИЛАНД |
![]() |
![]() |
|
MF-25 (С2-23) 0.25 ВТ, 10 ОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
![]() |
![]() |
|||||
К71-7В 250В 0.2 МКФ 2% |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|