BSN254A
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 310mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 300mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSN254 N-channel Enhancement Mode Vertical D-mos Transistor Также в этом файле: BSN254A
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
0603-100К 1% |
|
ЧИП — резистор 100 КОм, 1%, 0.125Вт | FAITHFUL LINK |
|
|
|
|
|
|
0603-100К 1% |
|
ЧИП — резистор 100 КОм, 1%, 0.125Вт |
|
0.72 >500 шт. 0.24 |
||
 |
|
1206-1.0K 1% |
|
ЧИП - резистор 1кОм, 1%, 0.25Вт |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
||
| BZV55C4V3 (MINI) |
|
|
||||||
| CLH1608T-10NJ-N | YAGEO | 1 | 7.48 | |||||
| CLH1608T-10NJ-N |
|
3.00 | ||||||
| CLH1608T-10NJ-N | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| CLH1608T-10NJ-N | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| CLH1608T-10NJ-N | CHILISIN |
|
|
|||||
 |
|
IRU1117-33CY |
|
СН ``low drop`` ( Vinmax=7V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0.8A) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRU1117-33CY |
|
СН ``low drop`` ( Vinmax=7V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0.8A) |
|
106.00 |
