BSN254A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSN254A	1	39.60
BSN254A (КИТАЙ)	4 641	169.87

Версия для печати

Технические характеристики BSN254A

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	310mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 300mA, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	120pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSN254

N-channel Enhancement Mode Vertical D-mos Transistor

Также в этом файле: BSN254A

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BSN254A datasheet
69.24Kb
12стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-1.0M 1%	ЧИП — резистор		74	2.08
1206-10.0K 1%	ЧИП - резистор 10кОм, 1%, 0.25Вт			1.44 >100 шт. 0.72
BZV55C3V6 (MINI)	Стабилитрон 0,5W, 3,6V
BZV55C3V3 (MINI)
ILD213T	Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс ...	INFINEON
ILD213T	Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс ...			152.00
ILD213T	Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс ...	VISHAY	16	30.00
ILD213T	Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс ...	Vishay/Semiconductors
ILD213T	Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс ...	VISHAY	764