Оперативная память DRAM, паралельная |
Корпус | 42-SOJ |
Корпус (размер) | 42-SOJ |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение питания | 3 V ~ 3.6 V |
Интерфейс подключения | Parallel |
Скорость | 50ns |
Объем памяти | 16M (1M x 16) |
Тип памяти | DRAM - EDO |
Формат памяти | RAM |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADP3335ARM-3.3-RL7 | ANALOG DEVICES | |||||||
ADP3335ARM-3.3-RL7 | 533.76 | |||||||
ADP3339AKCZ-1.8-RL | Analog Devices Inc | |||||||
MMUN2211LT1G | Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 4 554 | 2.40 | ||||
MMUN2211LT1G | Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | |||||||
MMUN2211LT1G | Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ONS | ||||||
MMUN2211LT1G | Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 8 454 | |||||
MMUN2211LT1G | Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTO | ||||||
TEN 5-1221 | DC/DC, 6Вт, вход 9-18V выход +5V/+500 mA изоляция 1500VDC,корпус DIP24 32х20х10мм., - ... | TRACO | 2 | 3 606.84 | ||||
TEN 5-1221 | DC/DC, 6Вт, вход 9-18V выход +5V/+500 mA изоляция 1500VDC,корпус DIP24 32х20х10мм., - ... | |||||||
TPS72116DBVT | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
TPS72116DBVT | 114.80 | |||||||
TPS72116DBVT | TEXAS |
|