MAX1694EUB
|
|
Версия для печати
| Корпус | 10-µMAX |
| Корпус (размер) | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Ток выходной | 25µA |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Напряжение питания источника | Single Supply |
| Сопротивление (On-State) | 90 mOhm |
| Каналы | 1 x 1:1 |
| Функция | USB Switch |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1302ZN+T | MAX |
|
|
|||||
| DS1302ZN+T |
|
|
||||||
 |
 |
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В |
|
1 536.00 | ||
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | INTEGRATED SILICON SOLUTION |
|
|
|
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 4 554 | 2.40 | |||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 |
|
|
||||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ONS |
|
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 8 454 |
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| S1D13506F00A2 | EPSON |
|
|
|||||
| S1D13506F00A2 | EPSON |
|
|
|||||
| XC2C128-7VQG100I | XILINX | 47 | 1 500.00 | |||||
| XC2C128-7VQG100I | XILINX |
|
|
|||||
| XC2C128-7VQG100I | Xilinx Inc |
|
|
|||||
| XC2C128-7VQG100I |
|
|
