![]() |
|
Корпус | 10-µMAX |
Корпус (размер) | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Ток выходной | 25µA |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 5.5 V |
Напряжение питания источника | Single Supply |
Сопротивление (On-State) | 90 mOhm |
Каналы | 1 x 1:1 |
Функция | USB Switch |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DS1302ZN+T | MAX |
![]() |
![]() |
|||||
DS1302ZN+T |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
![]() |
IS41LV16100B-50KLI |
![]() |
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В |
![]() |
1 536.00 | ||
![]() |
![]() |
IS41LV16100B-50KLI |
![]() |
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IS41LV16100B-50KLI |
![]() |
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | INTEGRATED SILICON SOLUTION |
![]() |
![]() |
|
MMUN2211LT1G |
![]() |
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 4 554 | 2.40 | |||
MMUN2211LT1G |
![]() |
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 |
![]() |
![]() |
||||
MMUN2211LT1G |
![]() |
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ONS |
![]() |
![]() |
|||
MMUN2211LT1G |
![]() |
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 8 454 |
![]() |
|||
MMUN2211LT1G |
![]() |
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTO |
![]() |
![]() |
|||
S1D13506F00A2 | EPSON |
![]() |
![]() |
|||||
S1D13506F00A2 | EPSON |
![]() |
![]() |
|||||
XC2C128-7VQG100I | XILINX | 47 | 1 500.00 | |||||
XC2C128-7VQG100I | XILINX |
![]() |
![]() |
|||||
XC2C128-7VQG100I | Xilinx Inc |
![]() |
![]() |
|||||
XC2C128-7VQG100I |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|