STD5NM60-1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | MDmesh™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Power - Max | 96W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | I-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) |
|
|
||
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) | KI |
|
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) | ST MICROELECTRONICS SEMI | 404 |
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
2N2222 |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, P=1,8W, f=250MHz) | SGS THOMSON | 99 |
|
|
| 74LV00N | PHILIPS |
|
|
|||||
| 74LV00N | 26 | 9.97 | ||||||
| 74LV00N | PHILIPS | 876 |
|
|||||
 |
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А | 3 266 | 5.10 | ||
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А | ТАШКЕНТ |
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А | RUS |
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А | СЗТП | 277 | 11.81 | |
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А | РОССИЯ | 62 | 4.41 | |
 |
КП327Б | 128 | 61.01 | |||||
|
|
КП327Б | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП327Б | RUS |
|
|
||||
| КФ1158ЕН12Б |
|
|
